FDSOI相关论文
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系。器件阈值......
电子器件的发展一直对我们的日常生活与国家军事产生巨大的影响,其中航天电子器件更是其中的关键。但是,在空间环境中拥有相当数量......
随着我国航天事业的蓬勃发展,空间辐射环境对半导体器件的辐照损伤也越来越难以忽视。一方面,随着集成电路工艺的发展,器件尺寸也......
当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系.器件阈值......
近年来航天航空事业的高速发展,对电路性能的需求不断增加,而且面临的空间辐射效应不断严重,迫切需要技术的的发展与革新。FDSOI作......
介绍了一种采用 HK-first MG-last FDSOI工艺制作的选择性埋氧(SELBOX)器件.利用 TCAD,对不同背板掺杂类型和埋氧层窗口位置的 SEL......
针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析.以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件，并对其关键工艺进行了详细阐述．相对于双多晶硅栅器件，在不改变阈值电压的前提下，可以减小n......
采用新的工艺技术，成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOICMOS器件．详细阐述了其中的关键工艺技术．器件具有接近理想的亚阈值特......
制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOICMOS器件 ,并对其关键工艺进行了详细阐述 .相对于双多晶硅栅器件 ,在不改变阈值电压的前提下 ,可......
采用新的工艺技术,成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOICMOS器件.详细阐述了其中的关键工艺技术.器件具有接近理想的亚阈值......
对0.25 μm TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件进行了模拟研究.由于TiN栅具有中间禁带功函数,在低的工作电压下,NMOS和PMOS......
随着CMOS技术发展到22nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术具有优秀的短沟道......
